| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | CMLDM3757 TR |
| 说明 | 通用MOSFET SOT-563 |
| 起订量 | 3 |
| 最小包 | 3 |
| 现货 | 446 [库存更新时间：2026-05-05] |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 540mA,430mA |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 550mΩ@540mA,4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.58nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF @ 16V |
| Pd-功率耗散(Max) | 350mW |
| 工作温度 | -65°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOT-563 |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 18923485199
芯普拉斯产品中心
productsCMLDM3757 TR
产品概述
相关产品